英飞凌在菲拉赫工厂实现全球首款 300mm 碳化硅晶圆加工出功能性功率器件，单片芯片产出达 200mm 的 2.3 倍

2026 年 11 月 9 日，英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）宣布，已在奥地利菲拉赫（Villach）工厂把 300 毫米碳化硅（SiC）晶圆加工成功能性功率器件，成为全球首家在大规模半导体晶圆厂环境中实现这一里程碑的企业。这次成果直接复用现有硅制造设备改造而来，不需要从零搭建全新产线；相比当前主流的 200mm 碳化硅晶圆，300mm 晶圆直径更大，单片晶圆可产出的芯片数量可达 200mm 的 2.3 倍，长期看有助于提升生产效率、摊薄单位成本。英飞凌同时在德国德累斯顿工厂验证了面向 300mm 碳化硅的冷切割（Cold Split）工艺，减少晶锭切割的材料损耗和加工时间。首片完成加工的 300mm 碳化硅晶圆于 11 月 10 日在慕尼黑 electronica 2026 展会首次对公众展示。需要明确的是，目前实现的是功能性器件和工艺可行性验证，距离 300mm 碳化硅全面规模化量产还需要后续路线规划、产能爬坡和客户配合，现有 200mm 碳化硅制造路线仍会并行推进。

一、里程碑基本信息

二、300mm 与 200mm 碳化硅晶圆对比

三、这次技术突破的关键点

• 器件功能已跑通：不只是做出一片 300mm SiC 衬底，而是在其上加工出具备功能的功率器件，证明工艺链路可行；
• 复用现有硅设备：利用已有的硅制造设备适配碳化硅工艺，降低从零建厂的前提条件；
• 面积红利：晶圆直径从 200mm 升到 300mm，单片可排布芯片数约为 2.3 倍，对应单片晶圆的设备和场地利用率提升；
• 切割工艺配套：冷切割从碳化硅晶锭上分离晶圆，相比传统线锯切割减少材料损耗、缩短加工时间，用更低资本开支从同一晶锭切出更多晶圆；
• 三材料全覆盖：至此英飞凌在硅、碳化硅、氮化镓三种半导体材料上都掌握了 300mm 晶圆技术。

四、碳化硅功率器件的主要应用方向

交通与能源

• 电动车牵引逆变器；
• 车载充电器（OBC）；
• 电动汽车充电桩；
• 大型储能系统；
• 工业传动装置；
• 不间断电源（UPS）。

AI 数据中心

• 固态变压器；
• 固态断路器；
• 供电单元（power unit）。

碳化硅材料的核心优势是更低功率损耗、更高功率密度，能在高电压、高温环境下高效运行；英飞凌对应产品组合为 CoolSiC™系列。AI 数据中心供电需求增长，是推动碳化硅在供电环节拓展应用的重要因素之一。

五、产能与战略布局

• 双线并行：300mm 碳化硅处于工艺验证和路线规划阶段，现有 200mm 碳化硅制造路线图继续推进，两条路线同时保障供货；
• GaN 量产基地：2026 年 10 月 27 日，英飞凌宣布投资约 11 亿欧元，在菲拉赫建设采用 300mm 技术生产氮化镓功率半导体的大规模量产基地；
• 模式复制：300mm 碳化硅把这套 "大尺寸晶圆 + 规模化制造" 的模式从氮化镓拓展到第二种宽禁带材料；
• 公司体量：截至 2025 年 9 月底约 5.7 万名员工，2025 财年营收约 147 亿欧元；
• 后续节奏：英飞凌将与客户和合作伙伴协作，确定 300mm 碳化硅的技术路线、产能爬坡时间和量产安排。

六、需要留意的边界

• 本次是功能性器件里程碑，不等于 300mm 碳化硅已经进入大规模量产；
• 2.3 倍是单片晶圆理论芯片产出对比，实际良率、器件尺寸和工艺成本仍需量产阶段验证；
• 冷切割目前是技术可行性验证，推广到量产还需要工艺成熟度和设备配套；
• 碳化硅衬底本身的晶体质量、缺陷控制和供应链，仍会影响大尺寸晶圆的实际放量节奏。

【相关 FAQ】

问题 1：英飞凌这次推出的全球首款 300mm 碳化硅晶圆，是在哪里、用什么设备做出来的？

回答 1：成果在英飞凌奥地利菲拉赫工厂完成，团队把 300mm 碳化硅晶圆加工成了功能性功率器件，是全球首家在大规模半导体晶圆厂环境实现该突破的企业；工艺利用现有硅制造设备改造适配，并非从零新建碳化硅专线。首片晶圆于 2026 年 11 月 10 日在慕尼黑 electronica 展会公开亮相。

问题 2：300mm 碳化硅晶圆相比 200mm 晶圆有什么优势，芯片产出能提升多少？

回答 2：300mm 晶圆直径更大，单片晶圆可排布的芯片数量可达 200mm 晶圆的 2.3 倍，配合更先进的晶圆制造技术，生产效率有明显提升空间；长期看大尺寸晶圆有助于摊薄单位芯片成本。不过这一产出倍数是单片晶圆面积对比，实际良率和成本表现还要看量产工艺成熟度。

问题 3：英飞凌为 300mm 碳化硅配套了什么切割工艺，解决什么问题？

回答 3：英飞凌在德国德累斯顿工厂验证了冷切割（Cold Split）技术用于 300mm 碳化硅晶圆；相比传统线锯切割，冷切割直接从晶锭分离晶圆，可减少材料损耗、缩短加工时间，以更低资本开支从同一晶锭获取更多晶圆，这是大尺寸碳化硅量产的配套工艺进展。

问题 4：300mm 碳化硅功率器件主要用在哪些领域，AI 数据中心对应什么应用？

回答 4：交通与能源方向包括牵引逆变器、车载充电器、电动车充电桩、大型储能、工业传动和 UPS；AI 数据中心方向拓展到固态变压器、固态断路器和供电单元。碳化硅具备低损耗、高功率密度、耐高温高压的特性，英飞凌对应 CoolSiC™产品组合；现有 200mm 碳化硅路线仍会与 300mm 路线并行推进。

【参考资料】

• [2026-11-11]（全球首家！英飞凌在奥地利菲拉赫工厂实现全球首款 300mm 碳化硅晶圆功能性功率器件）电子工程专辑
• [2026-11-10]（重磅｜英飞凌推出全球首款 300mm 碳化硅晶圆，实现创新里程碑）电子工程专辑
• [2026-11-09]（英飞凌推出全球首款 300mm 功率碳化硅晶圆，实现创新里程碑）英飞凌官网
• [2026-11-09]（Infineon presents first functional power devices on 300mm SiC wafers）Semiconductor Today
• [2026-11-09]（「世界初」300mm SiC ウエハーでパワー半导体制造 Infineon：Si、GaN に加え SiC でも）EE Times Japan

【免责声明】

本文技术信息整理自英飞凌官方新闻稿及公开行业媒体报道，300mm 碳化硅目前处于功能性器件验证阶段，量产时间、良率、成本与产能爬坡节奏以公司后续官方披露为准；晶圆产出倍数为厂商口径的面积对比，不代表实际量产芯片数量。本文不构成投资建议或采购选型承诺，宽禁带半导体行业进展受工艺、供应链和市场需求影响存在不确定性。