三菱电机全球首次验证 GaN 衬底方案,大幅抑制射频 GaN 晶体管频散效应

三菱电机在 11 月 9 日正式对外发布研发成果,在全球范围内首次证明,采用 GaN 同质衬底制作的射频 GaN 晶体管,能够显著抑制频率