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三菱电机,宣布首次用GaN衬底显著抑制射频晶体管频散!
三菱电机全球首次验证 GaN 衬底方案,大幅抑制射频 GaN 晶体管频散效应
三菱电机在 11 月 9 日正式对外发布研发成果,在全球范围内首次证明,采用 GaN 同质衬底制作的射频 GaN 晶体管,能够显著抑制频率
2026-11-13 21:16:48